- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33476 > 2SJ649 20 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SJ649 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | ISOLATED, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | 2SJ649 |
Data Sheet D16332EJ1V0DS
4
2SJ649
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
ID
-
Drai
n
Current
-
A
0
–2
–3
–4
–80
–60
–40
–20
0
–1
Pulsed
VGS = –10 V
–5
–4.0 V
–4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drai
n
Current
-
A
Pulsed
–1
–2
–3
–4
–5
VDS = –10 V
–10
–1
–0.1
–100
–0.01
TA =
55C
25C
75C
125C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
S
(o
ff)
-
Gat
e
Cut
-of
fV
o
lt
age
-
V
VDS = –10 V
ID = –1 mA
–1.0
–2.0
–3.0
–50
0
50
100
0
150
–4.0
Tch - Channel Temperature -
°C
|
y
fs
|
-
Forw
ard
Trans
fe
rA
d
m
it
tanc
e
-
S
–0.01
–0.1
–1
10
100
–10
–100
0.1
1
Pulsed
VDS = –10 V
TA = 125C
75C
25C
55C
0.01
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
DS
(on)
-
Drai
n
t
o
S
ourc
e
On-s
ta
te
Res
is
tanc
e
-
m
–1
–0.1
120
100
80
60
40
20
0
–10
–100
Pulsed
VGS = –4.0 V
–4.5 V
–10 V
ID - Drain Current - A
R
DS
(on)
-
Drai
n
t
o
S
ourc
e
On-s
ta
te
Res
is
tanc
e
-
m
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
- 2
- 4
- 6
- 8
- 10 - 12 - 14 - 16 - 18 - 20
Pulsed
ID =
10 A
VGS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ651 | 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SJ663-TL | 9 A, 100 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ664 | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ664-TL | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ666 | 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ649-AZ | 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ650 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ651 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ651_03 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SJ651-S | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。