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参数资料
| 型号： | 2SJ649 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | ISOLATED, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | 2SJ649 |
Data Sheet D16332EJ1V0DS
6
2SJ649
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
IAS
-
S
ingl
e
A
val
anc
he
Current
-
A
- 1
- 10
- 100
VDD =
30 V
RG = 25
VGS = -20
→ 0 V
Starting Tch = 25°C
EAS2 = 100 mJ
EAS1 = 40 mJ
IAS1 =
20 A
IAS2 =
10 A
L - Inductive Load - H
E
nergy
Derat
ing
Fac
tor
-
%
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
VDD =
30 V
RG = 25
VGS =
20 → 0 V
IAS
≤ 20 A
Starting Tch - Starting Channel Temperature - °C
10
100
1 m
10 m
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PDF描述 |
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