- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33476 > 2SJ649 20 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SJ649 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | ISOLATED, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | 2SJ649 |
Data Sheet D16332EJ1V0DS
5
2SJ649
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS
(on)
-
Drai
n
t
o
S
ourc
e
On-s
ta
te
Res
is
tanc
e
-
m
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
Pulsed
VGS =
4.0 V
10 V
Tch - Channel Temperature - °C
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s-
Capac
itanc
e
-
pF
10
100
1000
10000
–0.1
–1
–10
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Coss
Crss
Ciss
–100
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
td(
on)
,t
r,
t
d(
of
f),
t
f-
S
w
itc
h
ing
Ti
m
e
-
ns
10
1
–1
–0.1
100
1000
–10
–100
tf
tr
td(on)
td(off)
VDD = –30 V
VGS = –10 V
RG = 0
ID - Drain Current - A
V
DS
-
Drai
n
t
o
S
ourc
e
V
o
lt
age
–
V
0
- 5
- 10
- 15
- 20
- 25
- 30
- 35
- 40
- 45
- 50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
- 2
- 4
- 6
- 8
- 10
ID =
20 A
Pulsed
VDS
VGS
VDD =
48 V
30 V
12 V
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gat
e
t
o
S
ourc
e
V
o
lt
age
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
IF
-
Di
ode
Forw
ard
Current
-
A
–1.0
0
–1.5
–0.5
Pulsed
–0.01
–0.1
–1
–10
–100
0 V
VGS = –10 V
–4.0 V
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
trr
-
Revers
e
Rec
o
very
T
im
e
-
ns
di/dt = 100 A/ s
VGS = 0 V
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
IF - Diode Forward Current - A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ651 | 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SJ663-TL | 9 A, 100 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ664 | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ664-TL | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ666 | 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ649-AZ | 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ650 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ651 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ651_03 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SJ651-S | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。