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参数资料
| 型号： | 2SJ673-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -60V -36A TO-220 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 18A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 隔离的标片 |
| 包装： | 散装 |
2SJ673
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
50
40
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
30
60
20
40
20
0
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
-1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
PW = 10 μ s
T C - Case Temperature - ° C
I D(pulse)
100 μ s
-100
R DS(on) Limited
-10
I D(DC)
DC
1 ms
-1
-0.1
Power Disipation Limited
T C = 25°C
Single pulse
10 ms
100 ms
-0.1
-1
-10
-100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
100
R th(ch-A) = 62.5°C/W
10
R th(ch-C) = 3.9°C/W
1
0.1
Single pulse
0.01
10 μ
100 μ
1m
10 m 100 m 1
PW - Pulse Width - s
10
100
1000
Data Sheet D17210EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ676 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS Type Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications |
| 2SJ676_09 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Regulator, DC/DC Converter and |
| 2SJ680 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Applications |
| 2SJ680(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Pch -200V -2.5A 2.0@10V New PW-Mold2 Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET,Pch ,V=200V,I=2.5A,PW-Mold2 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 2.5A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2 |
| 2SJ680_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS Type Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications |
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