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参数资料
| 型号： | 2SJ673-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -60V -36A TO-220 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 18A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 隔离的标片 |
| 包装： | 散装 |
2SJ673
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
50
I D = ? 18 A
-1000
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
40
Pulsed
-100
V GS = ? 10 V
30
V GS = ? 4.0 V
? 4.5 V
? 10 V
-10
-1
? 4 V
0V
20
-0.1
10
0
-0.01
-0.001
Pulsed
-50
0
50
100
150
0
-0.5
-1
-1.5
-2
T ch - Channel Temperature - °C
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
100000
V GS = 0 V
1000
f = 1 MHz
t d(off)
10000
C iss
100
t f
t r
1000
C oss
10
t d(on)
V DD = ? 30 V
V GS = ? 10 V
100
C rss
1
R G = 0 ?
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
-100
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
I D - Drain Current - A
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
60
12
1000
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V DD = ? 48 V
? 30 V
? 12 V
V DS
V GS
I D = ? 25 A
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
100
10
1
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
I F - Diode Forward Current - A
Q G - Gate Charge - nC
Data Sheet D17210EJ1V0DS
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SJ680 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Applications |
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| 2SJ680_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS Type Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications |
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