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参数资料
| 型号： | 2SJ673-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -60V -36A TO-220 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 18A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 隔离的标片 |
| 包装： | 散装 |
2SJ673
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
-1000
-250
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Pulsed
-100
-10
-1
T A = ? 55°C
25°C
75°C
125°C
V DS = ? 10 V
-200
-150
-100
-50
? 4 V
V GS = ? 10 V
? 4.5 V
Pulsed
-0.1
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
-1
-2
-3
-4
-5
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
V DS = ? 10 V
Pulsed
T A = ? 55°C
25°C
75°C
125°C
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
Pulsed
I D = ? 28.8 A
? 18 A
? 7.2 A
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
0
-2
-4
-6
-8 -10 -12 -14 -16 -18 -20
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
-4
V GS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
90
80
70
60
50
V GS = ? 4.0 V
? 4.5 V
Pulsed
-3
-2
V DS = ? 10 V
I D = ? 1 mA
40
30
20
10
0
? 10 V
-1
0
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-50
0
50
100
150
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D17210EJ1V0DS
T ch - Channel Temperature - ° C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SJ680_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS Type Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications |
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