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参数资料
| 型号： | 2SK3163-E |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SC-65, TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | 2SK3163-E |
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
2SK3163
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1088-0300
(Previous: ADE-208-736A)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 6 m
typ.
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name: TO-3P)
1. Gate
2. Drain
(Flange)
3. Source
D
S
G
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3163 | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK3211L-E | 25 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3212-E | 10 A, 100 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SK3175A | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
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| 2SK3176(F) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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