- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30616 > 2SK3163-E 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3163-E |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SC-65, TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | 2SK3163-E |
2SK3163
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 7 of 7
Package Dimensions
φ3.2 ± 0.2
4.8 ± 0.2
1.5
0.3
2.8
0.6 ± 0.2
1.0 ± 0.2
18.0
±
0.5
19.9
±
0.2
15.6 ± 0.3
0.5
1.0
5.0
±
0.3
1.6
1.4 Max
2.0
14.9
±
0.2
3.6
0.9
1.0
5.45 ± 0.5
Package Name
PRSS0004ZE-A
TO-3P / TO-3PV
MASS[Typ.]
5.0g
SC-65
RENESAS Code
JEITA Package Code
Unit: mm
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
2SK3163-E
30 pcs
Plastic magazine
Note:
For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3163 | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3174A | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 2SK3204 | 15 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3211L-E | 25 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3212-E | 10 A, 100 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK317 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 8A I(D) | SOT-119VAR |
| 2SK3174A | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 2SK3175A | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 2SK3176 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3176(F) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。