型号: | 2SK3372 |
厂商: | PANASONIC CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | Silicon N-Channel Junction |
中文描述: | 0.46 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, SSSMINI-F1, 3 PIN |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 71K |
代理商: | 2SK3372 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SK3373 | Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications |
2SK3374 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSV) |
2SK3387 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2-pi-MOSV) |
2SK3388 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
2SK3389 | Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SK33720RL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK33720SL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK33720TL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK33720UL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK3372GRL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |