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参数资料
| 型号： | 2SK3403 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
| 中文描述： | 东芝场效应晶体管硅?频道马鞍山类型 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | 2SK3403 |
2SK3403
2002-09-02
5
D
Channel temperature (initial) Tch (°C)
A
r
th
– t
w
Pulse width t
w
(S)
N
r
t
/
t
15
V
15
V
Test circuit
Wave form
I
AR
B
VDSS
V
DD
V
DS
R
G
25
V
DD
90 V, L 3.46 mH
VDD
BVDSS
BVDSS
2
I
L
2
1
Ε
AS
Drain-source voltage V
DS
(V)
E
AS
– T
ch
Safe operating area
100
200
300
50
100
0
25
400
75
150
125
0.1
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
T
PDM
t
Duty t/T
Rth (ch-c) 1.25°C/W
Duty 0.5
0.2
0.1
Single pulse
0.05
0.02
0.01
0.01
0.03
0.05
1
0.3
0.5
3
*
Single nonrepetitive pulse
Tc 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
DC operation
Tc 25°C
100 s
*
1 ms
*
VDSS max
0.05
0.1
1
10
100
0.03
0.5
0.3
5
3
50
30
30
10
100
1000
300
3
ID max (pulse)
*
ID max
(continuous)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3407 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV) |
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| 2SK3426 | For Impedance Conversion In Low Frequency |
| 2SK3427 | Silicon N-Channel Junction |
| 2SK3437 | DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3403(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 450V 13A Rdson=0.4Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3403(TE24L,Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 450V 13A Rdson=0.4Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3403_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications |
| 2SK3403_10 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Regulator Applications |
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