参数资料
型号: 2SK3483-AZ
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 28A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 52 毫欧 @ 14A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: TO-251(MP-3)
包装: 散装
2SK3483
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
1000
100
V DD = 50 V
V GS = 20 → 0 V
R G = 25 Ω
Starting T ch = 25 ° C
120
100
80
V DD = 50 V
V GS = 20 → 0 V
R G = 25 Ω
I AS ≤ 25 A
I AS = 25 A
60
E AS = 62.5 m J
10
1
40
20
0
0.01
0.1
1
10
25
50
75
100
125
150
175
6
L - Inductive Load - mH
Data Sheet D15068EJ3V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ° C
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