参数资料
型号: 2SK3484-AZ
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫欧 @ 8A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 900pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: TO-251(MP-3)
包装: 散装
2SK3484
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
=1
100
10
I AS = 10 A
E AS
0m
J
160
140
120
100
80
V DD = 50 V
R G = 25 Ω
V GS = 20 → 0 V
I AS ≤ 10 A
1
V DD = 50 V
R G = 25 Ω
V GS = 20 → 0 V
60
40
20
0.1 Startimg T ch = 25 ?C
0.01 0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
6
L - Inductive Load - mH
Data Sheet D15069EJ3V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ?C
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