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参数资料
| 型号： | 2SK369-GR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 10 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 封装： | 2-5F1D, SC-43, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 754K |
| 代理商： | 2SK369-GR |
2SK369
2007-11-01
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3692-01 | 17 A, 450 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3700 | 5 A, 900 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3700 | 5 A, 900 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3702 | 18 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SJ653 | 37 A, 60 V, 0.037 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK369-GR(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans JFET N-CH 10mA 3-Pin TO-92 Bulk |
| 2SK369GR(TPE2,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:LOW NOISE N-CHANNEL JFET - Tape and Reel |
| 2SK369GRF | 功能描述:JFET Low Noise N-Ch VGDS -40V NF 1.0dB RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2SK369-V(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans JFET N-CH 30mA Si 3-Pin TO-92 |
| 2SK3700(F) | 功能描述:MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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