- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2SK3746 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3746 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PB |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1500V（1.5kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 欧姆 @ 1A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PB |
| 包装： | 托盘 |
2SK3746
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS= 1200 V, VGS=0V
VGS=16V, VDS=0V
1500
100
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=20V, ID= 1 A
2.5
0.7
1.4
3.5
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= 1 A, VGS=10V
VDS=30V, f=1MHz
See Fig.2
VDS=200V, VGS=10V, ID=2A
IS=2A, VGS=0V
10
380
70
40
12
37
152
59
37.5
2.7
20
0.88
13
1.2
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Fig.1 Avalanche Resistance Test Circuit
Fig.2 Switching Time Test Circuit
50
L
10V
VIN
VDD=200V
RG
0V
10V
0V
50
2SK3746
VDD
PW=10 μ s
D.C. ≤ 0.5%
VIN
D
ID=1A
RL=200 Ω
VOUT
G
2SK3746
Ordering Information
P.G
RGS=50 Ω
S
2SK3746-1E
Device
Package
TO-3P-3L
Shipping
30pcs./magazine
memo
Pb Free
No.8283-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3748 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML |
| 2SK3793-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 |
| 2SK3811-ZP-E1-AY | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 2SK3812-ZP-E1-AY | MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 |
| 2SK3813-AZ | MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3746 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N TO-3PB |
| 2SK3746-1E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3747 | 功能描述:MOSFET HIGH-VOLTAGE POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3747 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N TO-3PML |
| 2SK3747-1E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。