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参数资料
| 型号： | 2SK3746 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PB |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1500V（1.5kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 欧姆 @ 1A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PB |
| 包装： | 托盘 |
2SK3746
4.0
3.5
Tc=25 ° C
pulse
ID -- VDS
8V
3.0
2.5
ID -- VGS
Tc= --25°C
VDS=20V
pulse
3.0
10V
2.0
2.5
2.0
6V
1.5
25°C
75°C
1.5
1.0
1.0
5V
0.5
0.5
VGS=4V
0
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT09031
ID=1A
30
RDS(on) -- Tc
IT09032
ID=1A
VGS=10V
25
20
25
20
15
10
5
0
Tc=75°C
25°C
--25°C
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
| y fs | -- ID
5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
IT09033
10
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT09034
3
2
VDS=20V
7
5
3
2
VGS=0V
Tc
° C
° C
1.0
7
5
=
--2
25
5 ° C
75
1.0
7
5
3
2
0.1
3
2
7
5
3
2
0.1
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT09035
VDD=200V
VGS=10V
5
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT09036
f=1MHz
2
td(off)
1000
100
7
5
Ciss
7
5
tf
3
2
100
Co
ss
7
3
tr
5
C r ss
2
10
td(on)
3
2
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Drain Current, ID -- A
IT09037
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT09038
No.8283-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3748 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML |
| 2SK3793-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 |
| 2SK3811-ZP-E1-AY | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 2SK3812-ZP-E1-AY | MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 |
| 2SK3813-AZ | MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3746 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N TO-3PB |
| 2SK3746-1E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3747 | 功能描述:MOSFET HIGH-VOLTAGE POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3747 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N TO-3PML |
| 2SK3747-1E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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