- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2SK3746 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3746 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PB |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1500V（1.5kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 欧姆 @ 1A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PB |
| 包装： | 托盘 |
2SK3746
10
VDS=200V
VGS -- Qg
7
5
IDP=4A(PW ≤ 10 μ s)
ASO
9
8
ID=2A
3
2
ID=2A
1m
s
10
0 μ
s
10 1 m
7
6
1.0
7
5
0m
s
0
s
5
3
4
3
2
1
0
2
0.1
7
5
3
2
0.01
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single pulse
0
10
20
30
40
1.0
2 3
5 7 10
2 3
5 7 100
2 3
5 7 1000
2 3
3.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT09039
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT16891
110
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT09041
Case Temperature, Tc -- ° C
IT09042
No.8283-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3748 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML |
| 2SK3793-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 |
| 2SK3811-ZP-E1-AY | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 2SK3812-ZP-E1-AY | MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 |
| 2SK3813-AZ | MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3746 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N TO-3PB |
| 2SK3746-1E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3747 | 功能描述:MOSFET HIGH-VOLTAGE POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3747 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N TO-3PML |
| 2SK3747-1E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。