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参数资料
| 型号： | 2SK3812-ZP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 110 A, 60 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263, MP-25ZP, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | 2SK3812-ZP |
Data Sheet D16738EJ1V0DS
5
2SK3812
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
1
2
3
4
5
6
-75
-25
25
75
125
175
10 V
VGS = 4.5 V
Pulsed
Tch - Channel Temperature - °C
C
is
s,
C
os
s,
C
rss
-Capacitance
-pF
100
1000
10000
100000
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(
on)
,t
r,t
d(
off)
,t
f-
Swi
tching
Time
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
VDD = 30 V
VGS = 10 V
RG = 0
td(off)
td(on)
tr
tf
ID - Drain Current - A
V
DS
-
D
rain
to
So
urce
Voltage
-
V
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
10
12
ID = 110 A
VDS
VGS
VDD = 48 V
30 V
12 V
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gate
to
So
urce
Voltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F-
Diode
Fo
rwa
rd
Curren
t-
A
0.1
1
10
100
1000
00.511.5
0 V
VGS = 10 V
Pulsed
4.5 V
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
t
rr-
Rev
ers
eRec
ov
ery
Ti
me
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
di/dt = 100 A/
s
VGS = 0 V
IF - Diode Forward Current - A
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PDF描述 |
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