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参数资料
| 型号： | 2SK3813-Z |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 60 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | MP-3Z, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | 2SK3813-Z |
Data Sheet D16739EJ3V0DS
3
2SK3813
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Pe
rcentage
of
Rated
Powe
r-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
P
T
-
Total
Powe
r
Dissipation
-
W
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
ID(pulse) = 240 A
RDS(on) Limited
(at VGS = 10 V)
Power Dissipation Limited
ID(DC) = 60 A
10 ms
1 ms
100
μs
TC = 25°C
Single pulse
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th(t)
-
Transient
T
hermal
Resistance
-
°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(ch-A) = 125°C/W
Rth(ch-C) = 1.49°C/W
Single pulse
PW - Pulse Width - s
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
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PDF描述 |
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