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参数资料
| 型号： | 2SK3814-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V MP-3/TO-251 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251（MP-3） |
| 包装： | 散装 |
2SK3814
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
20
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
15
10000
C iss
10
V GS = 4.5 V
1000
C oss
10 V
5
0
I D = 30 A
Pulsed
100
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-75
-25
25
75
125
175
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
t d(off)
60
50
V DD = 48 V
I D = 60 A
12
10
100
t d(on)
t f
40
30
30 V
12 V
8
6
10
1
t r
20
10
0
V DS
V GS
4
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
1000
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
V GS = 10 V
0V
100
1
10
0.1
0.01
Pulsed
1
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16740EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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