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参数资料
| 型号： | 2SK3814-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V MP-3/TO-251 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251（MP-3） |
| 包装： | 散装 |
2SK3814
100
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
100
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V DD = 30 V
I AS = 32 A
E AS = 102 mJ
80
R G = 25 Ω
V GS = 20 → 0 V
I AS ≤ 32 A
60
10
40
V DD = 30 V
R G = 25 Ω
1
V GS = 20 → 0 V
Starting T ch = 25°C
20
0
1 μ
10 μ
100 μ
1m
10 m
25
50
75
100
125
150
6
L - Inductive Load - H
Data Sheet D16740EJ2V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - °C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK3816-DL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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