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参数资料
| 型号： | 2SK3993-ZK-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4770pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3Z） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2SK3993
300
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
250
V GS = 10 V
100
T ch = 150°C
200
10
125°C
75°C
150
100
50
5.0 V
1
0.1
25°C
? 25°C
? 55°C
V DS = 10 V
0
Pulsed
0.01
Pulsed
0
0.5
1
0
1
2
3
4
5
6
4
3
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V DS = 10 V
I D = 1 mA
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
2
1
10
1
T ch = ? 55°C
? 25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
V DS = 10 V
Pulsed
0
0.1
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
15
8
V GS = 5.0 V
Pulsed
10
6
4
2
0
10 V
Pulsed
5
0
I D = 32 A
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D17322EJ2V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SK3994(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 250V 20A 0.105@10V TO220NIS Bulk |
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