参数资料
型号: 2SK4069-S15-AY
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
封装: LEAD FREE, TO-251, MP-3-B, 3 PIN
文件页数: 3/8页
文件大小: 293K
代理商: 2SK4069-S15-AY
Data Sheet D18032EJ2V0DS
3
2SK4069
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Pe
rcentage
of
Rated
Powe
r-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100 125 150 175
TC - Case Temperature -
°C
P
T-
Total
Powe
r
Di
ss
ipati
on
-
W
0
5
10
15
20
25
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
ID
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
P/W = 100
μs
ID(pulse)
1 ms
10 ms
ID(DC)
RDS(on) Limited
(VGS = 10 V)
TC = 25°C
Single pulse
Power Dissipation Limited
VDS - Drain to Source Voltage – V
ID
Drain
Cu
rre
n
t-
A
0
10
20
30
40
0
50
100
150
Tc - Case Temperature -
°C
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th(t)
-
Transient
T
hermal
Resistance
-
°C/W
0.1
1
10
100
1000
Rth(ch-C) = 5.95°C/W
Single pulse
Rth(ch-A) = 125°C/W
PW - Pulse Width – s
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
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