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参数资料
| 型号： | 2SK4069-S15-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, TO-251, MP-3-B, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | 2SK4069-S15-AY |
Data Sheet D18032EJ2V0DS
4
2SK4069
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0
50
100
150
012
345
VGS = 10 V
Pulsed
4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0.01
0.1
1
10
100
1000
012
345
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
40°C
25°C
75°C
125°C
150°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
S
(off)
-
Gate
C
ut
-off
Voltage
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-75 -50 -25 0
25 50 75 100 125 150 175
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|-
Forward
T
ransfer
Admittan
ce
-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
40°C
25°C
75°C
125°C
150°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
Ω
0
5
10
15
20
25
30
1
10
100
1000
10 V
Pulsed
VGS = 4.5 V
ID - Drain Current - A
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
Ω
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
Pulsed
ID = 30 A
15 A
6 A
VGS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4069-ZK-E2-AY | 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK4070 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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