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参数资料
| 型号： | 2SK4081-ZK-E2-AY |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 600 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, MP-3ZK, TO-252, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | 2SK4081-ZK-E2-AY |
Data Sheet D18785EJ2V0DS
3
2SK4081
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Percentage
of
Rated
P
o
wer
-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
Tch - Channel Temperature -
°C
P
T
-
Total
P
o
wer
Dissi
pa
ti
on
-
W
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DRAIN CURRENT vs. CASE TEMPERATURE
I
D
-
Drain
Cur
rent
-
A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
ID(pulse)
ID(DC)
TC = 25
°C
Single Pulse
R
D
S(
on
) L
im
ite
d
(V
G
S =
1i0
V)
PW
=
1
i
00
μ
s
1
i m
i
s
1
i
0
m
i
s
P
o
w
er
D
is
sip
at
io
n
Li
m
ite
d
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Drain
Cur
rent
-
A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
25
50
75
100
125
150
TC - Case Temperature -
°C
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th
(t
)-
T
ransi
e
nt
Thermal
Resi
stance
-
°C/
W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(ch-A) = 125
°C/Wi
Rth(ch-C) = 4.167
°C/Wi
Single Pulse
PW - Pulse Width - s
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4082 | 3.5 A, 600 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4083U | 0.47 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK4083 | 0.47 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK4087LS | 14 A, 600 V, 0.61 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4091-ZK-E1-AY | 30 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4082 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4082-S17-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4084LS | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4085LS | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK4085LS_0710 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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