- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33505 > 2SK4093TZ-E 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK4093TZ-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SC-51, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 2SK4093TZ-E |
To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1
st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1
st, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4093TZ-E | 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK4094 | 100 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4098FS | 6 A, 600 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4105 | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4108 | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4094 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4094_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4094-1E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 |
| 2SK4096LS | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4096LS_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。