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参数资料
| 型号： | 2SK4093TZ-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SC-51, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 2SK4093TZ-E |
2SK4093
REJ03G1534-0300 Rev.3.00 Feb 01, 2008
Page 3 of 6
Main Characteristics
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
4
8
12
16
20
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Transfer Characteristics
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.2
0.5
0.1
0.01
0.02
0.05
0.002
0.005
0.001
1
Pulse Test
8 V, 10 V
V
GS = 1.4 V
1.8 V
2 V
1.6 V
4 V
VDS = 10 V
Pulse Test
Tc = 75
°C
25
°C
25°C
1
0.1
110
1000
0.001
0.01
10
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Maximum Safe Operation Area
100
0.001
0.1
Ta = 25
°C
1 shot
PW = 100
s
10
s
Operation in this
area is limited by
R
DS(on)
10
8
6
4
2
25
0
25
50
75
100 125
150
0
Case Temperature
Tc (
°C)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS(on)
(
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
VGS = 2.5 V
Pulse Test
ID = 1 A
0.25 A
0.5 A
10
8
6
4
2
25
0
25
50
75
100 125
150
0
Case Temperature
Tc (
°C)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS(on)
(
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
VGS = 4 V
Pulse Test
0.25 A
0.5 A
ID = 1 A
0.1
1
0.2
2
0.5
5
10
2
1
0.5
10
5
0.2
0.1
Drain Current
ID (A)
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS(on)
(
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
4 V
VGS = 2.5 V
Pulse Test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4093TZ-E | 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK4094 | 100 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| 2SK4105 | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK4096LS_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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