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参数资料
| 型号： | 2SK4093TZ-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SC-51, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 2SK4093TZ-E |
2SK4093
REJ03G1534-0300 Rev.3.00 Feb 01, 2008
Page 4 of 6
0
50
100
150
300
100
1000
10
30
3
1
0.3
0.1
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Crss
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage
VDS (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
-25
0
50
100
150
25
125
75
0
Case Temperature
Tc (
°C)
Gate to Source Cutoff Voltage
vs. Case Temperature
Gate
to
Source
Cutoff
Voltage
V
GS(off)
(V)
Coss
VDS = 10 V
0.1 mA
ID = 10 mA
1 mA
0.1
0.3
1
1000
200
500
100
20
50
10
2
5
1
400
0
16
300
12
200
8
100
4
8
12
16
20
0
Reverse Drain Current
IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
Gate Charge
Qg (nC)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
Dynamic Input Characteristics
di / dt = 100 A /
s
VGS = 0, Ta = 25°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.8
Source to Drain Voltage
VSD (V)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Pulse Test
0.4
1.2
1.6
VGS = 4 V
0 V
4 V
ID = 1 A
VDS
VGS
VDD = 200 V
100 V
50 V
VDD = 200 V
100 V
50 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4093TZ-E | 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK4094 | 100 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4098FS | 6 A, 600 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4105 | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4108 | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4094 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4094_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4094-1E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 |
| 2SK4096LS | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4096LS_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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