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参数资料
| 型号： | 2SPT6341SD |
| 厂商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 125 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 0.170 X 0.180 INCH, DIE-2 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SPT6341SD |
NOTE: All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: TR0101A
Doc
Solid State Devices, Inc.
14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
DESIGNER’S DATA SHEET
.180
.170
E
B
.011
2SPT6341SD
MultiEpitaxial Planar
NPN Power Transistor Die
Features:
Recommended replacement for the 2N6338 – 6341 series
Die Size: 170 x 180 Mils
Die Thickness: 260 – 330 m
Bonding Area:
Emitter: 30 x 60 Mils
Base:
40 x 50 Mils
Maximum Recommended Wire Bonding:
Emitter: Al (15 Mils Dia)
Base:
Al (15 Mils Dia)
Metallization:
Top:
60,000 Al
Bottom: 5,500 Au / Cr / Ni / Au
Maximum Ratings
4/
Symbol
Value
Units
Collector – Emitter Voltage
VCEO
125
Volts
Collector – Base Voltage
VCBO
180
Volts
Emitter – Base Voltage
VEBO
6
Volts
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
IC
IC max
25
50
Amps
Continuous Base Current
IB
10
Amps
Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
PD
200
1.143
W
W/C
Operating & Storage Temperature
Top & Tstg
-65 to +200
C
Maximum Thermal Resistance
Junction to Case
RθJC
0.875
C/W
Electrical Characteristic
4/
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Collector – Emitter
Breakdown Voltage
IC = 50mA
BVCEO
3/
125
135
––
Volts
Collector – Cutoff Current
VCE = 125 V; VBE = 1.5 V
VCE = 125 V; VBE = 1.5 V; T= 150C
ICEX
3/
––
0.020
—
10
1
A
mA
Collector – Cutoff Current
VCB = 180 V
ICBO1
3/
––
0.020
10
uA
Emitter – Cutoff Current
VEB = 6 V
IEBO
3/
––
0.001
100
uA
DC Current Gain *
VCE = 2V, IC = 500mA
VCE = 2V, IC = 10A
VCE = 2V, IC = 25A
hFE1
3/
hFE2
3/
hFE3
50
30
12
120
185
120
––
220
––
Collector – Emitter Saturation
Voltage*
IC = 10A, IB = 1 A
IC = 25A, IB = 2.5A
VCE(Sat)
––
0.35
0.93
1.0
1.8
Volts
Base – Emitter Saturation
Voltage *
IC = 10A, IB = 1A
IC = 25A, IB = 2.5A
VBE(Sat)
––
1.13
1.73
1.8
2.5
Volts
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