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参数资料
| 型号： | 2STA1962 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | 2STA1962 |
July 2008
Rev 3
1/9
9
Features
■ High breakdown voltage VCEO = -230 V
■ Complementary to 2STC5242
■ Fast-switching speed
■ Typical fT = 30 MHz
Application
■ Audio power amplifier
Description
This device is a PNP transistor manufactured
using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear
amplifier) technology. The resulting transistor
shows good gain linearity behaviour.
Figure 1.
Internal schematic diagram
Table 1.
Device summary
1
2
3
TO-3P
Order code
Marking
Package
Packaging
2STA1962
TO-3P
Tube
2STA1962
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
www.st.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STC4793 | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2STR1215 | 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 40-01/G4C-AQSB | SINGLE COLOR LED, BRILLIANT GREEN |
| 40-25AUWD/TR8 | SINGLE COLOR LED, WHITE, 5 mm |
| 4000-2-1303-007 | SINGLE COLOR LED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STA2120 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STA2121 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STA2510 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STB121PM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DRIVE IC |
| 2STBN15D100 | 功能描述:达林顿晶体管 Low Volt NPN Darlington Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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