参数资料
型号: 2STA1962
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN
文件页数: 6/9页
文件大小: 178K
代理商: 2STA1962
6/9
Package mechanical data
2STA1962
3
Package mechanical data
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in ECOPACK
packages. These packages have a Lead-free second level interconnect . The category of
second level interconnect is marked on the package and on the inner box label, in
compliance with JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to soldering
conditions are also marked on the inner box label. ECOPACK is an ST trademark.
ECOPACK specifications are available at: www.st.com
相关PDF资料
PDF描述
2STC4793 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2STR1215 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
40-01/G4C-AQSB SINGLE COLOR LED, BRILLIANT GREEN
40-25AUWD/TR8 SINGLE COLOR LED, WHITE, 5 mm
4000-2-1303-007 SINGLE COLOR LED
相关代理商/技术参数
参数描述
2STA2120 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STA2121 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STA2510 功能描述:两极晶体管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STB121PM 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DRIVE IC
2STBN15D100 功能描述:达林顿晶体管 Low Volt NPN Darlington Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel