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参数资料
| 型号： | 4AE11 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN/PNP Triple Diffused(三倍扩散NPN/PNP晶体管) |
| 中文描述： | 硅npn型/进步党三漫射（三倍扩散npn型/进步党晶体管） |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 4AE11 |
4AE11
5
Unit: mm
31.3
24.4
± 0.1
16.4
± 0.3
+0.2
–0.3
3.8
3.2
φ
2.54
1.4
0.85
± 0.1
1.15
1.0
2.2
± 0.2
0.55
+0.1
–0.06
5.0
± 0.2
2.0
± 0.1
10.0
±0.3
2.7
3.2
3.0
16.0
±0.3
10.5
±0.5
1
2345678
9
10 11 12
1
12
Pin No.
Electrode
Note: B:
C:
E:
Base
Collector
Emitter
1
B
2
C
3
E
4
C
5
B
6
E
7
E
8
B
9
C
10
E
11
C
12
B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4AM11 | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N沟道/P沟道功率MOSFET阵列) |
| 4AM17 | Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 4N25STB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N26MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N26MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4AE12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Power Transistor Arrays |
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| 4AEGBW6100A3NJ | 制造商:KEMET Corporation 功能描述:BOX CAP,DC-LINK APPLICATIONS - Boxed Product (Development Kits) |
| 4AEJBW5300A3LJ | 制造商:KEMET Corporation 功能描述:BOX CAP,DC-LINK APPLICATIONS - Boxed Product (Development Kits) |
| 4AEJBW5500A3NJ | 制造商:KEMET Corporation 功能描述:BOX CAP,DC-LINK APPLICATIONS - Boxed Product (Development Kits) |
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