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参数资料
| 型号： | 70V34S20PFGI |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 4K X 18 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件页数： | 3/25页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | 70V34S20PFGI |
6.42
11
IDT70V35/34S/L (IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range for 70V25/24(4)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE = VIL, UB or LB = VIL, and SEM = VIH. To access semaphore, CE = VIH or UB & LB = VIH, and SEM = VIL.
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
70V25/24X15
Com'l Only
70V25/24X20
Com'l
& Ind
70V25/24X25
Com'l
& Ind
Unit
Symbol
Parameter
Min.
Max.Min.Max.Min.Max.
READ CYCLE
tRC
Read Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
tAA
Address Access Time
____
15
____
20
____
25
ns
tACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
tABE
Byte Enable Access Time(3)
____
15
____
20
____
25
ns
tAOE
Output Enable Access Time(3)
____
10
____
12
____
13
ns
tOH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
3
____
ns
tLZ
Output Low-Z Time(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
tHZ
Output High-Z Time(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
tPU
Chip Enable to Power Up Time(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
tPD
Chip Disable to Power Down Time
(1,2)
____
15
____
20
____
25
ns
tSOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE or SEM)10
____
10
____
10
____
ns
tSAA
Semaphore Address Access(3)
____
15
____
20
____
25
ns
5624 tbl 11a
70V25/24X35
Com'l Only
70V25/24X55
Com'l Only
Unit
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
READ CYCLE
tRC
Read Cycle Time
35
____
55
____
ns
tAA
Address Access Time
____
35
____
55
ns
tACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
35
____
55
ns
tABE
Byte Enable Access Time(3)
____
35
____
55
ns
tAOE
Output Enable Access Time(3)
____
20
____
30
ns
tOH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
ns
tLZ
Output Low-Z Time(1,2)
3
____
3
____
ns
tHZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
tPU
Chip Enable to Power Up Time(1,2)
0
____
0
____
ns
tPD
Chip Disable to Power Down Time(1,2)
____
35
____
50
ns
tSOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE or SEM)15
____
15
____
ns
tSAA
Semaphore Address Access(3)
____
35
____
55
ns
5624 tbl 11b
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 710-405J12 | STEEL, CIRCULAR ADAPTER |
| 710-405J16 | STEEL, CIRCULAR ADAPTER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 70V34S25PF | 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 70V34S25PF8 | 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 70V3569S4BC | 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 70V3569S4BC8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 576K-Bit 16K x 36 4.2ns 256-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 576KBIT 16KX36 4.2NS 256BGA - Tape and Reel |
| 70V3569S4BF | 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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