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AOD406L

配单专家企业名单
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  • AOD406L
    AOD406L

    AOD406L

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • AO

  • TO-252

  • 0809+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • AOD406L
    AOD406L

    AOD406L

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 6000

  • AOS

  • TO-252

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • AOD406L
    AOD406L

    AOD406L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 0

  • isc,iscsemi

  • DPAK/TO-252

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOD406L
    AOD406L

    AOD406L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • APLHA

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全称
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD406L 技术参数
  • AOD403L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD403_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 20A,20V 工作温度:-55°C ~ 155°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD403_030 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 20A,20V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD403 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD3T40P 功能描述:MOSFET NCH 400V 2A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3? @ 1A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):139pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD413 AOD4130 AOD4132 AOD4132L AOD4136 AOD4136L AOD413A AOD413A_002 AOD4144_002 AOD4144_003 AOD4146 AOD4158 AOD4158P AOD4160 AOD4162 AOD417 AOD418 AOD4180
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