您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 >

AON62688

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • AON62688
    AON62688

    AON62688

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS/万代

  • DFN56

  • 21+

  • -
  • 优势供应 实单必成 可13点增值税

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
AON62688 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AON62688 技术参数
  • AON6268 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):44A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2520pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):56W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TA) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:1 AON6266E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):755pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):26W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13.2 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:3,000 AON6266_101 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1340pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):38W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:3,000 AON6266 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1340pF @ 30V 功率 - 最大值:5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6264E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:3,000 AON6294 AON6298 AON6312 AON6314 AON6354 AON6358 AON6360 AON6362 AON6366E AON6368 AON6368P AON6370 AON6370_001 AON6370_002 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382
配单专家

在采购AON62688进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买AON62688产品风险,建议您在购买AON62688相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的AON62688信息由会员自行提供,AON62688内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号