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APTGS10X120RTP2G

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  • APTGS10X120RTP2G
    APTGS10X120RTP2G

    APTGS10X120RTP2G

  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • 原厂原装

  • 23+

  • -
  • 只做原装正品

  • APTGS10X120RTP2G
    APTGS10X120RTP2G

    APTGS10X120RTP2G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 170

  • APT

  • 10A/1200V/PIM/7U

  • 2024+

  • -
  • 全新现货价格优势

  • APTGS10X120RTP2G
    APTGS10X120RTP2G

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 98653

  • 原厂

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  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • APTGS10X120RTP2G
    APTGS10X120RTP2G

    APTGS10X120RTP2G

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 9000

  • APT

  • 原厂原装

  • 19+

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  • 只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

  • APTGS10X120RTP2G
    APTGS10X120RTP2G

    APTGS10X120RTP2G

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

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    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • APT

  • 原厂原装

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

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APTGS10X120RTP2G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
APTGS10X120RTP2G 技术参数
  • APTGLQ80HR120CT3G 功能描述:PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,80A 电流 - 集电极截止(最大值):150μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ75H65T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ600A65T6G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1200A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):600μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):36.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G
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