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说明
操作

APTGS75X170TE3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APTGS75X170TE3G
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
APT
原厂原装
23+
-
只做原装正品

APTGS75X170TE3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
E122X62-21L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APTGS75X170TE3G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
APT
75A/1700V/IGBT/6U
2024+
-
全新现货价格优势

APTGS75X170TE3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
86530
APT
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APTGS75X170TE3G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
APT
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

APTGS75X170TE3
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APTGS75X170TE3
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module

APTGS75X170TE3 技术参数

APTGLQ80HR120CT3G 功能描述:PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:150μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ75H65T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ600A65T6G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1200A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:600μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:36.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G

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