参数资料
| 型号： | A3PE3000L-FGG896 |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 204/242页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 3M 896-FBGA |
| 标准包装： | 27 |
| 系列： | ProASIC3EL |
| RAM 位总计： | 516096 |
| 输入/输出数： | 620 |
| 门数： | 3000000 |
| 电源电压： | 1.14V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 896-BGA |
| 供应商设备封装： | 896-FBGA（31x31） |
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ProASIC3L DC and Switching Characteristics
2-48
Revision 13
Table 2-58 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
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0.05
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0.50
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ns
6 mA
Std.
0.70
4.30
0.05
0.91
0.50
4.38
3.75
2.68
2.74
6.39
5.76
ns
–1
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4.48
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-59 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
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Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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PDF描述 |
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