参数资料
| 型号： | A3PE600-2FGG256 |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 82/162页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 600000 GATES 256-FBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3E |
| RAM 位总计： | 110592 |
| 输入/输出数： | 165 |
| 门数： | 600000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-FPBGA（17x17） |
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ProASIC3E DC and Switching Characteristics
2-12
Revision 13
User I/O Characteristics
Timing Model
Figure 2-2 Timing Model
Operating Conditions: –2 Speed, Commercial Temperature Range (TJ = 70°C), Worst-Case
VCC = 1.425 V
DQ
Y
DQ
Y
Combinational Cell
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
Register Cell
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
LVPECL
LVDS,
BLVDS,
M-LVDS
GTL+ 3.3V
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
I/O Module
(Non-Registered)
LVTTL/LVCMOS
Output drive strength = 24 mA
High slew rate
I/O Module
(Non-Registered)
LVCMOS 1.5V
Output drive strength = 12 mA
High slew
LVTTL/LVCMOS
Output drive strength = 12 mA
High slew rate
I/O Module
(Non-Registered)
Input LVTTL/LVCMOS
Clock
Input LVTTL/LVCMOS
Clock
Input LVTTL/LVCMOS
Clock
tPD = 0.56 ns
tPD = 0.49 ns
tDP = 1.36 ns
tPD = 0.87 ns
tDP = 2.74 ns
tPD = 0.51 ns
tPD = 0.47 ns
tDP = 2.39 ns
tDP = 3.30 ns
tCLKQ = 0.59 ns
tDP = 1.53 ns
tSUD = 0.31 ns
tPY = 0.90 ns
tCLKQ = 0.55 ns
tSUD = 0.43 ns
tPY = 0.90 ns
tPD = 0.47 ns
tCLKQ = 0.55 ns
tSUD = 0.43 ns
tPY = 1.36 ns
tPY = 0.90 ns
tICLKQ = 0.24 ns
tISUD = 0.26 ns
tPY = 1.22 ns
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