参数资料
型号: A3PN030-Z1QNG48
厂商: Microsemi SoC
文件页数: 34/114页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA NANO 30K GATES 48-QFN
标准包装: 260
系列: ProASIC3 nano
输入/输出数: 34
门数: 30000
电源电压: 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型: 表面贴装
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 48-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 48-QFN(6x6)
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-12
Revision 11
User I/O Characteristics
Timing Model
Figure 2-2 Timing Model
Operating Conditions: –2 Speed, Commercial Temperature Range (TJ = 70°C), Worst Case
VCC = 1.425 V, with Default Loading at 10 pF
DQ
Y
DQ
Y
Combinational Cell
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
Register Cell
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
LVCMOS 2.5V Output Drive
Strength = 8 mA High Slew Rate
Input LVCMOS 2.5 V
LVCMOS 1.5 V
LVTTL 3.3 V Output drive
strength = 8 mA High slew rate
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
I/O Module
(Non-Registered)
LVTTLOutput drive strength = 8 mA
High slew rate
I/O Module
(Non-Registered)
LVCMOS 1.5 VOutput drive strength = 2 mA
High slew rate
LVTTLOutput drive strength = 4 mA
High slew rate
I/O Module
(Non-Registered)
Input LVTTL
Clock
Input LVTTL
Clock
Input LVTTL
Clock
tPD = 0.56 ns
tPD = 0.49 ns
tDP = 2.25 ns
tPD = 0.87 ns
tDP = 2.87 ns
tPD = 0.51 ns
tDP = 2.21 ns
tPD = 0.47 ns
tDP = 3.02 ns
tPD = 0.47 ns
tPY = 0.84 ns
tCLKQ = 0.55 ns
tOCLKQ = 0.59 ns
tSUD = 0.43 ns
tOSUD = 0.31 ns
tDP = 2.21 ns
tPY = 0.84 ns
tPY = 1.14 ns
tCLKQ = 0.55 ns
tSUD = 0.43 ns
tPY = 0.84 ns
tICLKQ = 0.24 ns
tISUD = 0.26 ns
tPY = 1.04 ns
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