参数资料
| 型号： | AD8229HRZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 19/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP INST LN 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 22 V/µs |
| -3db带宽： | 15MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 70nA |
| 电压 - 输入偏移： | 100µV |
| 电流 - 电源： | 6.7mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±4 V ~ 17 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 175°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
AD8229
Data Sheet
Rev. B | Page 4 of 24
Parameter
Test Conditions/Comments
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC RESPONSE
Small Signal Bandwidth –3 dB
G = 1
15
MHz
G = 10
4
MHz
G = 100
1.2
MHz
G = 1000
0.15
MHz
Settling Time 0.01%
10 V step
G = 1
0.75
s
G = 10
0.65
s
G = 100
0.85
s
G = 1000
5
s
Settling Time 0.001%
10 V step
G = 1
0.9
s
G = 10
0.9
s
G = 100
1.2
s
G = 1000
7
s
Slew Rate
G = 1 to 100
22
V/s
THD (FIRST FIVE HARMONICS)
f = 1 kHz, RL = 2 kΩ, VOUT = 10 V p-p
G = 1
–130
dBc
G = 10
–116
dBc
G = 100
–113
dBc
G = 1000
–111
dBc
THD + Noise
f = 1 kHz, RL = 2 kΩ, VOUT = 10 V p-p, G = 100
0.0005
%
GAIN2
G = 1 + (6 kΩ/RG)
Gain Range
1
1000
V/V
Gain Error
VOUT = ±10 V
G = 1
0.01
0.03
%
G = 10
0.05
0.3
%
G = 100
0.05
0.3
%
G = 1000
0.1
0.3
%
Gain Nonlinearity
VOUT = 10 V to +10 V
G = 1 to 1000
RL = 10 kΩ
2
ppm
Gain vs. Temperature
G = 1
TA = 40°C to +210°C
2
5
ppm/°C
G > 10
TA = 40°C to +210°C
100
ppm/°C
INPUT
Impedance (Pin to Ground)3
1.5||3
GΩ||pF
Input Operating Voltage Range4
VS = ±5 V to ±18 V for dual supplies
VS + 2.8
+VS 2.5
V
Over Temperature
TA = 40°C to +210°C
VS + 2.8
+VS 2.5
V
OUTPUT
Output Swing, RL = 2 kΩ
VS + 1.9
+VS 1.5
V
High Temperature, SBDIP package
TA = 210°C
VS + 1.1
+VS 1.1
V
High Temperature, SOIC package
TA = 175°C
VS + 1.2
+VS 1.1
V
Output Swing, RL = 10 kΩ
VS + 1.8
+VS 1.2
V
High Temperature, SBDIP package
TA = 210°C
VS + 1.1
+VS 1.1
V
High Temperature, SOIC package
TA = 175°C
VS + 1.2
+VS 1.1
V
Short-Circuit Current
35
mA
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PDF描述 |
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