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参数资料
| 型号： | ADG636YRUZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP |
| 产品培训模块： | iCMOS™ Switches and Multiplexers for Data Acquisition Switch Fundamentals |
| 标准包装： | 96 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 290 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 5.5 V，±2.7 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 1nA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 803 (CN2011-ZH PDF) |
ADG636
Rev. B | Page 11 of 16
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
0
250
VD,VS (V)
–5
–4
–3
O
N
RE
S
IST
A
NCE
(
)
100
5
23
4
–2
–1
0
1
200
150
50
TA = 25°C
VDD,VSS = ±2.5V
VDD,VSS = ±3.3V
VDD,VSS = ±3V
VDD,VSS = ±5V
VDD,VSS = ±4.5V
02
75
4-
0
03
Figure 3. On Resistance vs. VD (VS), Dual Supply
0
600
VD, VS (V)
0
O
N
RE
S
IST
ANC
E
(
)
300
500
400
200
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
100
VDD = 3V
VDD = 3.3V
VDD = 2.7V
VDD = 4.5V
TA = 25°C
VSS = 0V
VDD = 5V
02
75
4-
00
4
Figure 4. On Resistance vs. VD (VS), Single Supply
VD, VS (V)
O
N
RE
S
IS
TANCE
(
)
0
180
80
140
120
60
20
160
100
40
TA = +125°C
TA = +85°C
TA = +25°C
TA = –40°C
VDD = +5V
VSS = –5V
–5
–4
5
4
–3
–2
–1
3
2
1
0
02
75
4-
00
5
Figure 5. On Resistance vs. VD (VS) for Different Temperatures, Dual Supply
0
350
VD,VS (V)
O
N
RE
S
IS
TANCE
(
)
150
300
200
100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
50
VDD = 5V
VSS = 0V
250
TA = +125°C T
A = +85°C
TA = +25°C
TA = –40°C
02
75
4-
00
6
Figure 6. On Resistance vs. VD (VS) for Different Temperatures, Single Supply
–15
5
TEMPERATURE (°C)
CU
RRE
NT
(
n
A) –3
3
–1
–5
–7
1
060
40
80
100
–13
–11
–9
IS (OFF)
ID (OFF)
ID (ON), IS (ON)
VDD = +5V
VSS = –5V
120
20
02
75
4-
00
7
Figure 7. Leakage Currents vs. Temperatures, Dual Supply
–15
5
TEMPERATURE (°C)
C
URRE
NT
(
n
A) –3
3
–1
–5
–7
1
VDD = 5V
VSS = 0V
–13
–11
–9
ID (OFF)
IS (OFF)
ID (ON), IS (ON)
060
40
80
100
120
20
02
75
4-
0
08
Figure 8. Leakage Currents vs. Temperature, Single Supply
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