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参数资料
| 型号： | ADG636YRUZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP |
| 产品培训模块： | iCMOS™ Switches and Multiplexers for Data Acquisition Switch Fundamentals |
| 标准包装： | 96 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 290 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 5.5 V，±2.7 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 1nA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 803 (CN2011-ZH PDF) |
ADG636
Rev. B | Page 13 of 16
TEST CIRCUITS
IDS
V1
SD
VS
RON = V1/IDS
02
75
4-
0
14
SD
VS
VD
IS (OFF)
ID (OFF)
A
02
75
4-
01
5
SD
VD
ID (ON)
A
NC
NC = NO CONNECT
02
75
4-
0
16
Figure 14. On Resistance
Figure 15. Off Leakage
Figure 16. On Leakage
VS
VDD
EN
A0
A1
50
2.4V
0.1F
S1A
VSS
GND
D1
VSS
VS1A
VOUT
RL
300
CL
35pF
S1B
VS1B
50%
90%
ADDRESS
DRIVE (VIN)
VOUT
tTRANSITION
0V
3V
tTRANSITION
02
75
4-
01
7
Figure 17. Transition Time, tTRANSITION
50
RL
300
CL
35pF
VS
EN
A1
A0
2.4V
S1A
GND
D1
VS
VOUT
S1B
tBBM
80%
ADDRESS
DRIVE (VIN)
VOUT
0V
3V
VDD
0.1F
VSS
80%
0
27
54
-0
18
Figure 18. Break-Before-Make Delay, tBBM
VDD
EN
A1
A0
S1A
VSS
GND
D1
VSS
VS
VOUT
RL
300
CL
35pF
S1B
VS
50
50%
90%
ENABLE
DRIVE (VIN)
OUTPUT
tON (EN)
0V
3V
tOFF (EN)
VOUT
0V
0.1F
50%
02
75
4-
01
9
Figure 19. Enable Delay, tON (EN), tOFF (EN)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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