收藏本站
参数资料
型号： ADN2850BCPZ25
厂商： Analog Devices Inc
文件页数： 22/28页
文件大小： 0K
描述： IC RHEO DGTL 10B DL 25K 16LFCSP
产品变化通告： Metal Edit Change 03/Feb/2012
标准包装： 1
接片： 1024
电阻（欧姆）： 25k
电路数： 2
温度系数： 标准值 35 ppm/°C
存储器类型： 非易失
接口： 4 线 SPI（芯片选择）
电源电压： 3 V ~ 5.5 V，±2.25 V ~ 2.75 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VQFN 裸露焊盘，CSP
供应商设备封装： 16-LFCSP
包装： 托盘
Data Sheet
ADN2850
Rev. E | Page 3 of 28
SPECIFICATIONS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—25 k, 250 k VERSIONS
VDD = 2.7 V to 5.5 V, VSS = 0 V; VDD = 2.5 V, VSS = 2.5 V, VA = VDD, VB = VSS, 40°C < TA < +85°C, unless otherwise noted. These
specifications apply to versions with a date code 1209 or later.
Table 1.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ 1
Max
Unit
DC CHARACTERISTICS—RHEOSTAT
MODE (All RDACs)
Resolution
N
10
Resistor Differential Nonlinearity2
R-DNL
RWB
1
+1
LSB
Resistor Integral Nonlinearity2
R-INL
RWB
2
+2
LSB
Nominal Resistor Tolerance
RWB/RWB
Code = full scale
8
+8
%
Resistance Temperature Coefficient3
(RWB/RWB)/
T × 106
Code = full scale
35
ppm/°C
Wiper Resistance
RW
Code = half scale
VDD = 5 V
30
60
VDD = 3 V
50
Nominal Resistance Match3
RWB1/RWB2
Code = full scale
±0.1
%
RESISTOR TERMINALS
Terminal Voltage Range3
VB, VW
VSS
VDD
V
Capacitance Bx3
CB
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half-scale
11
pF
Capacitance Wx3
CW
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half-scale
80
pF
Common-Mode Leakage Current3, 4
ICM
VW = VDD/2
0.01
±1
A
DIGITAL INPUTS AND OUTPUTS
Input Logic 3
High
VIH
VDD = 5 V
2.4
V
VDD = 2.7 V
2.1
V
VDD = +2.5 V, VSS = 2.5 V
2.0
V
Low
VIL
VDD = 5 V
0.8
V
VDD = 2.7 V
0.6
V
VDD = +2.5 V, VSS = 2.5 V
0.5
V
Output Logic High (SDO, RDY)
VOH
RPULL-UP = 2.2 k to 5 V (see Figure 25)
4.9
V
Output Logic Low
VOL
IOL = 1.6 mA, VLOGIC = 5 V (see Figure 25)
0.4
V
Input Current
IIL
VIN = 0 V or VDD
±1
A
Input Capacitance3
CIL
5
pF
POWER SUPPLIES
Single-Supply Power Range
VDD
VSS = 0 V
2.7
5.5
V
Dual-Supply Power Range
VDD/VSS
±2.25
±2.75
V
Positive Supply Current
IDD
VIH = VDD or VIL = GND
2
5
A
Negative Supply Current
ISS
VDD = +2.5 V, VSS = 2.5 V
VIH = VDD or VIL = GND
4
2
A
EEMEM Store Mode Current
IDD (store)
VIH = VDD or VIL = GND,
VSS = GND, ISS ≈ 0
2
mA
ISS (store)
VDD = +2.5 V, VSS = 2.5 V
2
mA
EEMEM Restore Mode Current5
IDD (restore)
VIH = VDD or VIL = GND,
VSS = GND, ISS ≈ 0
320
A
ISS (restore)
VDD = +2.5 V, VSS = 2.5 V
320
A
Power Dissipation6
PDISS
VIH = VDD or VIL = GND
10
30
W
Power Supply Sensitivity3
PSS
VDD = 5 V ± 10%
0.006
0.01
%/%
相关PDF资料
PDF描述
VE-B3K-MY-F1 CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
ADN2850BCPZ250 IC DGTL RHEO DL 1024POS 16LFCSP
VE-B3J-MY-F4 CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
AD5232BRU10 IC DGTL POT 256POS 10K 16TSSOP
VI-2NW-MX-B1 CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W
相关代理商/技术参数
参数描述
ADN2850BCPZ250 功能描述:IC DGTL RHEO DL 1024POS 16LFCSP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 数据采集 - 数字电位器 系列:- 标准包装:3,300 系列:WiperLock™ 接片:257 电阻（欧姆）:100k 电路数:1 温度系数:标准值 150 ppm/°C 存储器类型:易失 接口:3 线 SPI（芯片选择） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN-EP（3x3） 包装:带卷 (TR)
ADN2850BCPZ250-RL7 功能描述:IC DGTL RHEO DL 25K 9BIT16LFCSP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 数据采集 - 数字电位器 系列:- 标准包装:3,000 系列:DPP 接片:32 电阻（欧姆）:10k 电路数:1 温度系数:标准值 300 ppm/°C 存储器类型:非易失 接口:3 线串行（芯片选择，递增，增/减） 电源电压:2.5 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-TDFN（2x3） 包装:带卷 (TR)
ADN2850BCPZ25-RL7 功能描述:IC DGTL RHEO DL 25K 9BIT16LFCSP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 数据采集 - 数字电位器 系列:- 标准包装:3,000 系列:DPP 接片:32 电阻（欧姆）:10k 电路数:1 温度系数:标准值 300 ppm/°C 存储器类型:非易失 接口:3 线串行（芯片选择，递增，增/减） 电源电压:2.5 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-TDFN（2x3） 包装:带卷 (TR)
ADN2850BRU25 制造商:Analog Devices 功能描述:
adn2850bru25-rl7 制造商:Analog Devices 功能描述:
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*