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参数资料
| 型号： | ADP1871-0.6-EVALZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 30/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL FOR ADP1871-0.6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
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ADP1870/ADP1871
Data Sheet
Therefore, an appropriate inductor selection is five 270 μF
polymer capacitors with a combined ESR of 3.5 mΩ.
C COMP =
1
2 π R COMP f ZERO
C OUT =
1 × 10
× ( 15 A )
=
( 1 . 8 ? 45 mV ) ? ( 1 . 8 )
1
2 × 3 . 14 × 100 × 10 3 × 6 . 25 × 10 3
Assuming an overshoot of 45 mV, determine if the output
capacitor that was calculated previously is adequate:
( L × I 2 LOAD )
( ( V OUT ? ? V OVSHT ) 2 ? ( V OUT ) 2 )
? 6 2
2 2
= 1.4 mF
Choose five 270 μF polymer capacitors.
The rms current through the output capacitor is
=
= 250 pF
Loss Calculations
Duty cycle = 1.8/12 V = 0.15
R ON (N2) = 5.4 mΩ
t BODY(LOSS) = 20 ns (body conduction time)
V F = 0.84 V (MOSFET forward voltage)
C IN = 3.3 nF (MOSFET gate input capacitance)
1 1 ( V IN , MAX ? V OUT )
L × f SW
I RMS = × ×
1 1 ( 13 . 2 V ? 1 . 8 V ) 1 . 8 V
= × ×
3 1 μF × 300 × 10
2
13 . 2 V
P N1,N2(CL) = [ D × R N1(ON) + ( 1 ? D ) × R N2(ON) ] × I LOAD
2 3
3
V OUT
V IN , MAX
= 1 . 49 A
Q N1,N2 = 17 nC (total MOSFET gate charge)
R GATE = 1.5 Ω (MOSFET gate input resistance)
= (0.15 × 0.0054 + 0.85 × 0.0054) × (15 A) 2
2
The power loss dissipated through the ESR of the output
= 1.215 W
P COUT = ( I RMS ) × ESR = (1.5 A) × 1.4 mΩ = 3.15 mW
capacitor is
2 2
P BODY ( LOSS ) =
t BODY ( LOSS )
t SW
× I LOAD × V F × 2
R T = 15 kΩ ×
= 30 kΩ
Feedback Resistor Network Setup
It is recommended to use R B = 15 kΩ. Calculate R T as follows:
(1 . 8 V ? 0 . 6 V)
0 . 6 V
Compensation Network
To calculate R COMP , C COMP , and C PAR , the transconductance
parameter and the current-sense gain variable are required. The
transconductance parameter (G M ) is 500 μA/V, and the current-
sense loop gain is
= 20 ns × 300 × 10 3 × 15 A × 0.84 × 2
= 151.2 mW
P SW(LOSS) = f SW × R GATE × C TOTAL × I LOAD × V IN × 2
= 300 × 10 3 × 1.5 ? × 3.3 × 10 ?9 × 15 A × 12 × 2
= 534.6 mW
[
P DR ( LOSS ) = V DR × ( f SW C upperFET V DR + I BIAS ) ]
+ [ V REG × ( f SW C lowerFET V REG + I BIAS ) ]
= ( 4 . 62 × ( 300 × 10 3 × 3 . 3 × 10 ? 9 × 4 . 62 + 0 . 002 ))
+ ( 5 . 0 × ( 300 × 10 3 × 3 . 3 × 10 ? 9 × 5 . 0 + 0 . 002 ))
= 57.12 mW
G CS =
1
A CS R ON
=
1
24 × 0 . 005
= 8 . 33 A/V
P DISS ( LDO ) = ( V IN ? V REG ) × ( f SW × C total × V REG + I BIAS )
= ( 13 V ? 5 V ) × ( 300 × 10 3 × 3 . 3 × 10 ? 9 × 5 + 0 . 002 )
P DCR ( LOSS ) = DCR × I LOAD = 0.003 × (15 A) 2 = 675 mW
f CROSS 2 π f CROSS C OUT V
where A CS and R ON are taken from setting up the current limit
(see the Programming Resistor (RES) Detect Circuit and Valley
Current-Limit Setting sections).
The crossover frequency is 1/12 th of the switching frequency:
300 kHz/12 = 25 kHz
The zero frequency is 1/4 th of the crossover frequency:
25 kHz/4 = 6.25 kHz
R COMP = × × OUT
f CROSS + f ZERO G M G CS V REF
= 55 . 6 mW
P COUT = ( I RMS ) 2 × ESR = (1.5 A) 2 × 1.4 mΩ = 3.15 mW
2
P CIN = ( I RMS ) 2 × ESR = (7.5 A) 2 × 1 mΩ = 56.25 mW
P LOSS = P N1,N2 + P BODY(LOSS) + P SW + P DCR + P DR + P DISS(LDO)
+ P COUT + P CIN
= 1.215 W + 151.2 mW + 534.6 mW + 57.12 mW + 55.6
+ 3.15 mW + 675 mW + 56.25 mW
= 2.655 W
25 × 10 3
=
25 × 10 + 6 . 25 × 10
500 × 10
× 8 . 3
= 100 kΩ
3
3
×
2 × 3 . 141 × 25 × 10 3 × 1 . 11 × 10 ? 3
? 6
×
1 . 8
0 . 6
Rev. B | Page 30 of 44
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