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参数资料
| 型号： | ADSP-BF548MBBCZ-5M |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 47/100页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSP 533MHZ W/DDR 400CSPBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Blackfin® |
| 类型： | 定点 |
| 接口： | CAN，SPI，SSP，TWI，UART，USB |
| 时钟速率： | 533MHz |
| 非易失内存： | 外部 |
| 芯片上RAM： | 260kB |
| 电压 - 输入/输出： | 2.50V，3.30V |
| 电压 - 核心： | 1.25V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 400-CSPBGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 配用： | ADSP-3PARCBF548M01-ND - MODULE BOARD BF548 ADSP-3PARCBF548E02-ND - KIT DEV STARTER BF548 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页当前第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页
Rev. C
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February 2010
ADSP-BF542/ADSP-BF544/ADSP-BF547/ADSP-BF548/ADSP-BF549
DDR SDRAM/Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing
SDRAM write cycle timing.
Table 34. DDR SDRAM/Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing
DDR SDRAM
Mobile DDR SDRAM
Parameter
Min
Max
Min
Max
Unit
Switching Characteristics
tDQSS
Write CMD to First DQS0-1
0.75
1.25
0.75
1.25
tCK
tDS
DQ0-15/DQM0-1 Setup to DQS0-1
0.90
ns
tDH
DQ0-15/DQM0-1 Hold to DQS0-1
0.90
ns
tDSS
DQS0-1 Falling to DCK0-1 Rising (DQS0-1 Setup)
0.20
tCK
tDSH
DQS0-1 Falling from DCK0-1 Rising (DQS0-1 Hold)
0.20
tCK
tDQSH
DQS0-1 High Pulse Width
0.35
0.40
0.60
tCK
tDQSL
DQS0-1 Low Pulse Width
0.35
0.40
0.60
tCK
tWPRE
DQS0-1 Write Preamble
0.25
tCK
tWPST
DQS0-1 Write Postamble
0.40
0.60
0.40
0.60
tCK
tDOPW
DQ0-15 and DQM0-1 Output Pulse Width (for Each)
1.75
ns
Figure 20. DDR SDRAM /Mobile DDR SDRAM Controller Write Cycle Timing
DCK0-1
DQS0-1
DQ0-15/DQM0-1
tDQSS
tDSH
tDSS
tDQSL
tDQSH
tWPST
tWPRE
tDS
tDH
tDOPW
CONTROL
Write CMD
Dn
Dn+1
Dn+2
Dn+3
NOTE: CONTROL =
DCS0-1, DCLKE, DRAS, DCAS, AND DWE.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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