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参数资料
| 型号： | AFT05MS031NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/33页 |
| 文件大小： | 1114K |
| 描述： | RF FET 40V 520MHZ TO-270-2 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 17.7dB |
| 电压 - 测试： | 13.6V |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 功率 - 输出： | 47W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | AFT05MS031NR1DKR |
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AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
23
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS — 450--520 MHz UHF BROADBAND
REFERENCE CIRCUIT
440
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 26. Power Gain, Drain Efficiency and Output Power versus
Frequency at a Constant Input Power — 12.5 V
16
18
17.8
17.6
26
70
68
66
64
60
30
29
28
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
?D
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17.4
17.2
17
16.8
16.6
16.4
16.2
450 460 470 480 490 500 510 530520
62
27
P
out
,OUTPUT
POWER (WATTS)
VDD= 12.5 Vdc, Pin
=0.5W(Avg.)
IDQ
= 100 mA
Pout
440
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 27. Power Gain, Drain Efficiency and Output Power versus
Frequency at a Constant Input Power — 13.6 V
16
18.5
18.25
18
26
69
67
65
63
36
34
32
30
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
?D
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17.75
17.5
17.25
17
16.75
16.5
16.25
450 470 490 510 530460 480 500 520
61
28
P
out
,OUTPUT
POWER (WATTS)
Pout
VDD= 13.6 Vdc, Pin
=0.5W(Avg.)
IDQ
= 100 mA
71
73
18.75
19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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