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参数资料
| 型号： | AFT05MS031NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/33页 |
| 文件大小： | 1114K |
| 描述： | RF FET 40V 520MHZ TO-270-2 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 17.7dB |
| 电压 - 测试： | 13.6V |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 功率 - 输出： | 47W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | AFT05MS031NR1DKR |
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12
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
TYPICAL CHARACTERISTICS — 136--174 MHz VHF BROADBAND
REFERENCE CIRCUIT
0
0
VGS, GATE--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Output Power versus Gate--Source Voltage
50
1
2
345
40
10
30
20
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
f = 155 MHz
0
0
Detail A
20
0.5 1
1.5
232.5 3.5
15
10
5
25
f = 155 MHz
VDD
= 13.6 Vdc, Pin
=0.1W
VDD
= 12.5 Vdc, Pin
=0.2W
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
=0.1W
Detail A
VDD
= 13.6 Vdc
Pin
=0.2W
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
=0.2W
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
=0.1W
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
VGS, GATE--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10
40
100
155 MHz
120
Figure 15. Power Gain, Output Power and Drain
Efficiency versus Input Power and Frequency
Pin, INPUT POWER (WATTS)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
24
22
174 MHz
0.01 0.50.1
30
50
40
10
20
27
26
25
60
70
80
Pout
VDD
= 13.6 Vdc, IDQ
= 100 mA
Gps
?D
174 MHz
?
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
VDD
= 13.6 Vdc, Pin
=0.2W
VDD
= 13.6 Vdc
Pin
=0.1W
23
21
140
80
60
20
136 MHz
136 MHz
174 MHz
155 MHz
136 MHz
155 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AFT09MS031NR1 | RF FET 40V 870MHZ TO-270-2 |
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参数描述 |
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| AFT09MP055N | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MV9 55W 12.5V TO270WB4 - Bulk |
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