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参数资料
| 型号： | AGR09085EU |
| 厂商： | LSI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | AGR09085EU |
4
Agere Systems Inc.
85 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
May 2004
AGR09085E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f)
ZS
(Complex Source Impedance)
ZL
(Complex Optimum Load Impedance)
865 (f1)
0.35 – j0.73
1.66 + j1.22
880 (f2)
0.35 – j0.77
1.67 + j1.18
895 (f3)
0.33 – j0.82
1.69 + j1.14
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1.0
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
-160
170
-170
180
±
90
-90
85
-85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.44
0.45
0.46
0.47
.47
0.48
0.49
0.0
—
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
G
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—
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W
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T
(+
jX
/Z
o)
, O
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CA
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VE
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SC
EP
TA
NC
E (+
jB/
Yo)
P
T
A
N
C
E
(-
jB
/
Y
o
)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
ZL
f3
f1
ZS
f3
f1
Z0 = 5
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR09130EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09130EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09130EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09130EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09130EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR09090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09130E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09130EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09130EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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