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参数资料
| 型号： | AGR09085EU |
| 厂商： | LSI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | AGR09085EU |
Agere Systems Inc.
7
Preliminary Data Sheet
AGR09085E
May 2004
85 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 0.8 A, TC = 30 °C.
FREQUENCY 1 = 880.0 MHz; FREQUENCY 2 = 880.1 MHz.
Figure 8. 2-Tone IMD vs. POUT
-60.00
-50.00
-40.00
-30.00
-20.00
-10.00
0.00
20.00
40.00
60.00
80.00 100.00 120.00 140.00 160.00
POUT (WPEP)Z
IMD
(dBc)
Z
IM3+/-
IM5+/-
IM7+/-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR09130EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| AGR09130EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR09090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09130E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09130EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09130EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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