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参数资料
| 型号： | AGR19180EU |
| 厂商： | LSI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | AGR19180EU |
Agere Systems Inc.
5
Preliminary Data Sheet
AGR19180E
July 2003
180 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus Output Power
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion versus Output Power
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1
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100
1000
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
p
s,
P
O
W
E
R
G
A
IN
(d
B
)
Vdd = 28V
Center Frequency = 1960 MHz
Two-Tone Meas urement, 100kHz Tone Spacing
Idq = 2000mA
Idq = 2400mA
Idq = 1600mA
Idq = 1200mA
Idq = 800mA
-60
-50
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-30
-20
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1
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Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
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TI
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c)
Vdd = 28V
Center Frequency = 1960 MHz
Two-Tone Measurement, 100kHz Tone Spacing
Idq = 2400mA
Idq = 800mA
Idq =1200mA
Idq =2000mA
Idq =1600mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| AGR21030EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| AGR21060EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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